集積回路構造の生成のためのデバイスおよび方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：志賀正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337913
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007081
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】最適化されたセル構造および相互接続を有する集積回路を構成する集積回路構造、および全回路領域が最小であり、高性能で、信頼性の高い集積回路を生成する集積回路構造が、迅速に生成されるためのデバイスおよび方法を提供する。【構成】各々がある型の半導体の電気導電度を有するウェル(NW)を備えた複数の集積可能なデバイス構造と、ウェル(NW)の内部に配置されたある導電型の少なくとも1個のFETデバイスと、ウェル(NW)の外部に配置された反対の導電型の少なくとも1個のFETデバイスと、FETデバイス双方のゲートを接続するドープされたポリシリコンの導体(PL)と、正電圧の供給部(m1vdd)と、負電圧もしくは接地の供給部(m1vss)とを有する。

請求項（抜粋）：

各々がある型の半導体の電気導電度を有するウェルを備えた複数の集積可能なデバイス構造と、前記ウェルの内部に配置されたある導電型の少なくとも1個のFETデバイスと、前記ウェルの外部に配置された反対の導電型の少なくとも1個のFETデバイスと、前記FETデバイス双方のゲートを接続するドープされたポリシリコンの導体と、前記FETデバイスの一方に接続されたVDD正電圧の供給線と前記FETデバイスの他方に接続されたVSS負電圧もしくは接地の供給線とを具備することを特徴とする集積回路構造の生成のためのデバイス。

IPC (3件)：

H01L 21/82 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 21/82 D , H01L 21/82 L , H01L 27/04 A , H01L 27/04 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

標準セル
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-261267 出願人：新日本無線株式会社
特開平4-340747
特開平2-121349

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