特許

J-GLOBAL ID：200903044007221145

発光ダイオードアレイ装置

発明者： 田尻 敦志
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-307242
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163980
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 高解像度化又は濃淡の階調化を図ることが可能な発光ダイオードアレイ装置を提供する。【構成】 絶縁性GaAs基板9の中央部には、その長手方向にリッジ9aが形成されており、この両側に複数の発光領域8からなる発光領域列が2列設けられている。これら発光領域列の両側には下部コンタクト層としてp型GaAs層10が形成されている。前記発光領域8はp型GaAlAs層2とn型GaAlAs層3とのpn接合面により形成されており、n型GaAlAs層3上に上部コンタクト層としてn型GaAs層4が形成されている。共通電極の形成領域及びn型GaAs層4上を除く表面に絶縁層5が形成されている。そして幅方向に並ぶ2個の発光領域8に亘って個別電極16が配設されており、この個別電極16は交互に幅方向の一端側へ引き出されている。個別電極16の外側にはその長手方向に共通電極11が配設されている。

請求項（抜粋）：

基板上に積層されたpn接合層からなる複数の発光領域を一方向に並設した発光領域列と、前記発光領域からこの並設方向と交叉する方向に引き出して配設する複数の個別電極と、複数の発光領域に共通する共通電極とを備える発光ダイオードアレイ装置において、前記発光領域列を複数有し、該発光領域列毎に設けられ前記pn接合層の下側層と接する複数のコンタクト層と、該複数のコンタクト層に接して設けられ各発光領域列に独立に通電を行うための複数の共通電極とを備えることを特徴とする発光ダイオードアレイ装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-285775
  
• 特開昭57-069785