特許

J-GLOBAL ID：200903044008302823

シリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜および半導体素子

発明者： 島村 泰夫 ,  森嶋 浩之 ,  山本 靖浩
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-097385
公開番号（公開出願番号）：特開平7-305028
出願日： 1994年05月11日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】 保存安定性の高い、半導体素子の信頼性を向上させるシリカ系被膜形成用塗布液を提供する。【構成】 一般式(I)【化1】(式中R及びR′は、水素または炭素数1〜3のアルキル基を示し、RおよびR′は同じでもよく、nは1〜2の整数を示す)で表されるアルコキシシラン化合物を溶媒中で加水分解、縮重合させる際に、該アルコキシシラン化合物1モルに対し0.01モル以上(4-n)モル以下の水を用いるシリカ系被膜形成用塗布液の製造法、この塗布液より得られるシリカ系被膜等。

請求項（抜粋）：

一般式(I)【化1】(式中R及びR′は、水素または炭素数1〜3のアルキル基を示し、RおよびR′は同じでもよく、nは1〜2の整数を示す)で表されるアルコキシシラン化合物を溶媒中で加水分解、縮重合させてシリカ系被膜形成用塗布液を製造する際に、該アルコキシシラン化合物1モルに対し0.01モル以上(4-n)モル以下の水を用いることを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液の製造法。

IPC (4件)：

C09D183/04 PMT ,  C08G 77/06 NUB ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-188179
  
• 特開昭64-009231
  
• 特開平3-221577