特許
J-GLOBAL ID：200903044008662030
制御された電気抵抗率を備えた耐プラズマ性セラミック
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安齋 嘉章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-251717
公開番号（公開出願番号）：特開2009-035469
出願日： 2007年09月27日
公開日（公表日）： 2009年02月19日
要約：
【課題】腐食性/浸食性プラズマを用いる半導体処理条件で耐食性/耐浸食性のある特殊なセラミック材料を提供する。【解決手段】腐食性プラズマはハロゲン含有プラズマであってよい。特殊なセラミック材料は修正されて、制御された電気抵抗率を与えて、プラズマアーク放電の可能性を低減する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体処理に用いるハロゲン含有プラズマによる浸食に対して抵抗性があり、約350°Cから室温までの範囲の温度で約10-7〜10-15Ω・cmの範囲の制御された電気抵抗率を示すセラミック含有物品であって、前記セラミック物品は、酸化イットリウムを含有する少なくとも1種類の固溶体を含む表面を有し、酸化イットリウムを含む少なくとも1種類の固溶体がまた、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化スカンジウム、酸化ニオブ、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム、酸化エルビウム、酸化セリウム及びこれらの組み合わせからなる群より選択される1種類又はそれ以上の酸化物も含有しているセラミック含有物品。
IPC (5件)：
C04B 35/50
, H01L 21/306
, H01L 21/205
, C23C 14/08
, C23C 16/44
C04B35/50
, H01L21/302 101G
, H01L21/205
, C23C14/08 K
, C23C16/44 B
4K029BA50
, 4K029BC01
, 4K029BD03
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 4K030BA42
, 4K030KA09
, 4K030KA46
, 4K030LA15
, 5F004AA06
, 5F004BD04
, 5F004DA01
, 5F004DA16
, 5F045AA08
, 5F045EB06
, 5F045EC05
審査官引用 (17件)
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導電性セラミックスおよびその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-274618
出願人：太平洋セメント株式会社, 株式会社日本セラテック
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静電チャック
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-189745
出願人：太平洋セメント株式会社
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静電チャック
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-089858
出願人：京セラ株式会社
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引用文献：
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