特許

J-GLOBAL ID：200903044021661255

半導体素子

発明者： 小林 康之 ,  小林 直樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 道夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-255251
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075873
出願日： 2000年08月25日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 III族窒化物半導体におけるバッファ層上に成長したGaNエピタキシャル成長層には、108 〜1010オーダーの転位が存在する。【解決手段】 サファイア基板1上に400°CでAlNバッファ層2を堆積し、次に1050°Cの基板温度でGaNエピタキシャル成長層3の成長を行う。次に基板温度500°Cで数分子層の厚さのBN層4を堆積させる。BN層4の堆積後、再び基板温度を1050°Cまで昇温し、GaNエピタキシャル成長層5の成長を行う。GaNエピタキシャル成長層3中に存在した転位は、GaNエピタキシャル成長層5中に伝搬しにくくなる。これは、数分子層の厚さのBN層4が転位を横方向に折り曲げる、あるいは転位の核を吸着することにより転位をGaNエピタキシャル成長層5中に伝搬させない作用を有することによるものである。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上あるいは6H-SiC基板上に堆積された第一の層Al1-X-Y GaX InY N(0≦X+Y,Y,X≦1)の上に、BN層を堆積させ、その上に第二の層Al1-X-Y GaX InY N(0≦X+Y,Y,X≦1)が堆積されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (19件)：

5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB15 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA01