特許

J-GLOBAL ID：200903044025037483

薄膜キャパシタの製造方法

発明者： 竹 島 裕
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-128050
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308325
出願日： 1997年04月30日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】【課題】 小型で容量が大きく、かつ、信頼性が高く、しかも、MMIC等の製造プロセスに整合しやすい、薄膜キャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明にかかる薄膜キャパシタの製造方法は、基板と、基板上に形成された下部電極と、下部電極上に形成された誘電体薄膜と、誘電体薄膜上に形成された上部電極とを含む薄膜キャパシタの製造方法であって、誘電体薄膜は、少なくともSr,Ti,Oを含み、かつプラズマCVD法により350°C以下で形成される、薄膜キャパシタの製造方法である。また、誘電体薄膜は、SrTiO3 系ペロブスカイト型化合物からなることが、誘電率の高さ等の点から好ましい。さらに、誘電体薄膜は、並行平板方式のプラズマCVD法で形成され、その際の高周波出力が2W/cm2 以上8W/cm2 以下であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体薄膜と、前記誘電体薄膜上に形成された上部電極とを含む薄膜キャパシタの製造方法であって、前記誘電体薄膜は、少なくともSr,Ti,Oを含み、かつ、プラズマCVD法により350°C以下で形成される、薄膜キャパシタの製造方法。

IPC (4件)：

H01G 4/33 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01G 4/12 418

FI (4件)：

H01G 4/06 102 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01G 4/12 418