特許

J-GLOBAL ID：200903044027027531

圧力センサ

発明者： 楠山 幸一
出願人/特許権者： 株式会社日立ユニシアオートモティブ
代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-201943
公開番号（公開出願番号）：特開2005-043159
出願日： 2003年07月25日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】ダイアフラム部の厚さが不均一であることに起因する検出精度の低下と、研磨粒子の付着に起因する歩留まりの低下を防止する圧力センサを提供する。【解決手段】ダイアフラム形成用シリコン基板2の裏面側に検出圧力導入凹部4を形成し、検出圧力導入凹部4によってダイアフラム形成用シリコン基板2の表層側に薄肉のダイアフラム部5を形成し、ダイアフラム部5にピエゾ抵抗7等を形成し、ダイアフラム形成用シリコン基板2の表面にダイアフラム部5の個所を基準室用凹部10とするシリコン用接合層9を形成し、ダイアフラム形成用シリコン基板2の表面にダイアフラム固定用シリコン基板3を直接接合し、ダイアフラム固定用シリコン基板3で基準室用凹部10を閉塞して圧力基準室13を形成した。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ダイアフラム形成用シリコン基板の裏面側に検出圧力導入凹部を形成し、前記検出圧力導入凹部によって前記ダイアフラム形成用シリコン基板の表層側に薄肉のダイアフラム部を形成し、前記ダイアフラム部にピエゾ抵抗を形成し、前記ダイアフラム形成用シリコン基板の表面に前記ダイアフラム部の個所を基準室用凹部とするシリコン用接合層を形成し、前記ダイアフラム形成用シリコン基板の表面にダイアフラム固定用シリコン基板を直接接合し、前記ダイアフラム固定用シリコン基板で前記基準室用凹部を閉塞して圧力基準室を形成したことを特徴とする圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L9/00 ,  H01L29/84

FI (2件)：

G01L9/00 303F ,  H01L29/84 B

Fターム (25件)：

2F055AA40 ,  2F055BB01 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF11 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG11 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA09 ,  4M112CA13 ,  4M112DA02 ,  4M112DA03 ,  4M112DA06 ,  4M112DA15 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112FA20