特許

J-GLOBAL ID：200903044027543670

アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法

発明者： 鳥居 健 ,  小島 浩一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-326768
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167721
出願日： 1995年12月15日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】【課題】 単位面積当たりの静電容量の高い電極箔を製造することができるアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 前段のエッチングを行う前に、第1段の前処理としてアルミ原箔をアルカリ性または酸性の水溶液中に浸漬してアルミ原箔表面の不均一層を除去し、その後、第2段の前処理としてアルミよりも自然電極電位の高い金属イオンを少なくとも1種以上含ませた酸性水溶液中でアルミ原箔にカソード電流を印加するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

エッチング処理を前段、後段の少なくとも2段階に分けて行うことにより製造するアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法において、前段のエッチングを行う前に、第1段の前処理としてアルミ原箔をアルカリ性または酸性の水溶液中に浸漬してアルミ原箔表面の不均一層を除去し、その後、第2段の前処理としてアルミよりも自然電極電位の高い金属イオンを少なくとも1種以上含ませた酸性水溶液中で、アルミ原箔にカソード電流を印加することを特徴とするアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法。

IPC (6件)：

H01G 9/04 304 ,  C23F 1/20 ,  C23F 1/36 ,  C23G 1/12 ,  C23G 1/22 ,  C25F 3/04

FI (6件)：

H01G 9/04 304 ,  C23F 1/20 ,  C23F 1/36 ,  C23G 1/12 ,  C23G 1/22 ,  C25F 3/04 B