特許
J-GLOBAL ID:200903044027993543

熱電変換素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 押田 良久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-311220
公開番号(公開出願番号):特開平7-142768
出願日: 1993年11月16日
公開日(公表日): 1995年06月02日
要約:
【要約】【目的】 鉄硅化物(FeSi2)を主体とするP型半導体とN型半導体とをPN接合した構成のゼーベック効果による熱電変換素子の発電能力(変換効率)を向上させかつ製造方法が容易な構成を提供し、該熱電変換素子の用途範囲を大幅拡大する。【構成】 複数の鉄硅化物(FeSi2)を主体とするP型半導体81a,......81zとN型半導体82a,......82zとをそれぞれチタン(Ti)板からなる熱伝導用金属板83a......83zを介して銅(Cu)系ろう材84a......84zにてPN接合を形成して接合し、それらを放熱板86と受熱板87とによって所定位置に配置して固定し、全体として平板状の熱電変換素子を構成した熱電変換素子80は、P型半導体とN型半導体とを個別に成形して効率よく製造でき、また、放熱板86と受熱板87とによって加熱部(PN接合部)側と開放端側との温度差を拡大して発電効率を向上させ、多くのP型、N型半導体を直列接続して比較的大きな電力を取り出すことが可能で、ゴミ処理用の煙突等の壁面や自動車のマフラー等に配置できる。
請求項(抜粋):
鉄硅化物(FeSi2)を主体とするP型半導体とN型半導体とをPN接合した構成からなる熱電変換素子において、前記一対の半導体間にチタン(Ti)又はチタン(Ti)合金からなる熱伝導用金属板を介在させ銅(Cu)系ろう材にてろう付けしPN接合部を形成したことを特徴とする熱電変換素子。
IPC (2件):
H01L 35/30 ,  H02N 11/00

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