洗浄装置及び洗浄方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-306092
公開番号（公開出願番号）：特開2000-126702
出願日： 1998年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月09日
要約：

【要約】【課題】洗浄処理工程で、半導体ウェーハ等の被洗浄体にパーティクル等の不純物が付着するのを抑制し、得られる半導体装置等の歩留りの向上あるいは機能上の信頼性の向上を図れる洗浄装置及び洗浄方法を提供することにある。【解決手段】エッチング系薬液により洗浄処理を施した半導体ウェーハWを、次工程で洗浄処理槽22に浸漬して水洗い処理する際に、供給パイプ23から洗浄処理槽22内に供給される純水21の供給を停止し、洗浄処理槽22内での純水21のアップフローを止める。

請求項（抜粋）：

洗浄液で満たされかつ上方の開口部から前記洗浄液が流出し得るように形成された洗浄処理槽と、前記洗浄処理槽に洗浄液を供給する供給手段とを備え、被洗浄体を前記開口部から洗浄処理槽に浸漬して前記被洗浄体の表面を洗浄する洗浄装置であって、前記供給手段は、被洗浄体を前記洗浄処理槽に浸漬する際に、洗浄液の供給を停止する、ことを特徴とする洗浄装置。

IPC (3件)：

B08B 3/04 , H01L 21/304 642 , H01L 21/304 648

FI (3件)：

B08B 3/04 A , H01L 21/304 642 B , H01L 21/304 648 A

Fターム (10件)：

3B201AA03 , 3B201AB24 , 3B201AB44 , 3B201BB04 , 3B201BB93 , 3B201BB96 , 3B201CB15 , 3B201CC01 , 3B201CC11 , 3B201CD22

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