特許
J-GLOBAL ID：200903044031726428

接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに接合装置

発明者：
須賀 唯知

須賀 唯知 について

, 
岡田 益明

岡田 益明 について


出願人/特許権者：
須賀 唯知

須賀 唯知 について


代理人 (2件)： 梁瀬 右司 ,  振角 正一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-013920
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311298
出願日： 2005年01月21日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】 高真空下でのエネルギー波処理及び連続した高真空化での接合を必要とせず、面精度を数nmオーダーまで必要としない実用化できる固層で常温接合する接合技術を提供する。【解決手段】 エネルギー波による表面活性化処理後、すぐには付着物層も薄いので、該付着物層を押しつぶして接合すれば、接合界面は広がり、接合表面に新生面が現れ、被接合物どうしが接合される。付着物層を押しつぶし易くするためには、被接合物が有する接合部の接合金属の硬度が低くなければならない。本発明者らによる種々の実験の結果、接合部の硬度がビッカース硬度で200Hv以下であることが、常温接合に特に有効であることを見出した。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
金属からなる接合部を有する被接合物どうしを、前記接合部を、原子ビーム、イオンビームまたはプラズマであるエネルギー波によって処理した後、前記接合部どうしを衝合させて加圧することにより固層で常温接合する接合方法において、 前記接合部の硬度が200Hv以下であることを特徴とする接合方法。
IPC (2件)：
H01L21/60 ,  H01L21/603
FI (4件)：
H01L21/60 311Q ,  H01L21/60 311T ,  H01L21/603 B ,  H01L21/603 C
Fターム (4件)：
5F044KK05 ,  5F044LL00 ,  5F044PP15 ,  5F044QQ03
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特許第2791429号公報
  • 実装方法および装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-171731   出願人：須賀唯知, 東レエンジニアリング株式会社, 松下電器産業株式会社
審査官引用 (2件)

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