特許

J-GLOBAL ID：200903044034332404

熱電素子及び熱電素子の電極形成方法

発明者： 野城 清
出願人/特許権者： ホソカワミクロン株式会社
代理人 (1件)： 北村 修一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-265519
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112037
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 低接触抵抗の電極をFeSi2 半導体上に形成することで実効的な熱電素子の比抵抗を低くし、熱電素子としての性能の向上を図る。【解決手段】 P型FeSi2 半導体1とN型FeSi2 半導体2の一端同士1a、2aを直接または導電体を介して接続してなる熱電素子において、前記P型FeSi2 半導体1及び前記N型FeSi2 半導体2の各他端1b、2b側に、Fe、Ni、Co、または、Mn、Co等のドーピング材を含むFeを成分とする電極3を直接形成する。

請求項（抜粋）：

FeSi2 半導体に、Fe、Ni、Co、または、Mn、Co等のドーピング材を含むFeを成分とする電極が直接形成されてある熱電素子。

IPC (3件)：

H01L 35/14 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34

FI (3件)：

H01L 35/14 ,  H01L 35/32 A ,  H01L 35/34