特許

J-GLOBAL ID：200903044035694601

半導体装置の製造方法

発明者： 松本 晋 ,  藤居 豊和 ,  村上 友康 ,  平尾 秀司 ,  寺井 由佳
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-179503
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029236
出願日： 1992年07月07日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 表面モフォロジーが良く、かつカバレージの良い配線形成用金属薄膜、特にCVD-W薄膜のコンタクト孔における形成方法を提供する。【構成】 Si基板1上に形成された層間絶縁膜2上、および前記層間絶縁膜2の所定の位置に開口されたコンタクト孔の内壁および底部全面にバリアメタル3を形成し、バリアメタル3上の全面に表面反応律速である第1還元反応と供給反応律速である第2還元反応とをこの順序で交互に繰り返し複数回行う。第1還元反応はカバレージは良いが表面モフォロジーの悪い表面反応律速のH2 還元としてW膜A1 〜A4 を成膜し、表面反応律速となるようにH2 /WF6 の流量比を10以下に設定する。前記第2還元反応はカバレージは悪いが表面モフォロジーの良いSiH4 還元としてW膜B1 〜B4 を成膜する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された層間絶縁膜上と、この層間絶縁膜の所定の位置に開口されたコンタクト孔の内壁および底部全面とにバリアメタルを形成し、このバリアメタル上の全面に化学気相成長法によりW膜を形成する半導体装置の製造方法であって、W膜の化学気相成長法による形成に際して、表面反応律速である第1還元反応と供給反応律速である第2還元反応とをこの順序で交互に複数回行う半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/90