特許
J-GLOBAL ID：200903044037658629
反応性スパッタリング方法とその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-227008
公開番号（公開出願番号）：特開2001-049429
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：
【要約】【課題】 成膜速度を低下させることなく、ターゲット原子と反応性ガスとが十分に反応した薄膜を基板の表面に形成することのできる反応性スパッタリング装置とその方法を提供する。【解決手段】 真空槽1の内部に放電ガスを導入しながらターゲット3と基板2との両電極間に電圧を印加してグロー放電を発生させ、ターゲット3からターゲット原子をはじき出すとともに、反応性ガスをイオン化して基板2の近傍から供給してターゲット原子と反応させて基板2の表面に薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
真空槽内に放電ガスを導入しながらターゲットと基板との両電極間に電圧を印加してグロー放電を発生させ、前記ターゲットからターゲット原子をはじき出して前記ターゲット原子を外部より導入した反応性ガスと反応させて前記基板の表面に薄膜を形成する反応性スパッタリング装置であって、前記反応性ガスをイオン化して前記基板の近傍から供給してターゲット原子と反応させる手段を設けた反応性スパッタリング装置。
Fターム (4件)：
4K029CA06
, 4K029CA13
, 4K029DA04
, 4K029DC48
