特許
J-GLOBAL ID：200903044038980591
結晶性薄膜製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-257970
公開番号（公開出願番号）：特開平6-107491
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月19日
要約：
【要約】【目的】 配向性を付与すべき結晶化材料の上下層に設けられた結晶膜の制御により、所定の配向性を有する結晶性薄膜を確実かつ再現性良く形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 シリコンウエーハ2上に形成されたアモルファス状シリコン酸化膜4に、下層の白金膜14、PZT前駆体層10および上層の白金膜12が順に重層される。熱処理によりPZT前駆体層10を結晶化しPZT結晶性薄膜20を得る。PZT前駆体層10は優先配向性を有する白金膜12、14に制御され結晶化するため、PZT結晶性薄膜20には所定の配向性が確実かつ再現性良く付与される。また、充分に大きい結晶子を得ることができる。
請求項（抜粋）：
基板の上に優先配向性を有する下部制御膜を形成する下部制御膜形成ステップ、下部制御膜の上に結晶化材料のゾル・ゲル前駆体を塗布し前駆体層を形成する前駆体層形成ステップ、前駆体層の上に優先配向性を有する上部制御膜を形成する上部制御膜形成ステップ、前駆体層を熱処理することにより結晶化し、結晶性薄膜を形成する結晶化ステップ、を備えたことを特徴とする結晶性薄膜の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 5/00
, C23C 14/02
, C23C 22/00
, C23C 22/78
, H01L 41/24
