特許

J-GLOBAL ID：200903044042456805

不揮発性半導体記憶装置の書き換え方法

発明者： 上田 健次
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-288893
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129623
出願日： 1991年11月05日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 低電圧で動作可能であり、書き換え可能回数と記憶保持時間が劣化しない不揮発性半導体記憶装置の書き換え方法を提供する。【構成】 ゲート4に電圧を印加して窒化シリコン膜3と酸化シリコン膜2との界面、またはその近傍の膜中のトラップ内に正または負の電荷を蓄積させる際、正の電荷を蓄積させるために印加する書き換え電圧の絶対値を、負の電荷を蓄積させるために印加する書き換え電圧の絶対値よりも小さくして書き換えを行なうようにする。

請求項（抜粋）：

MNOSまたはMONOS積層構造のゲートを備え、窒化シリコン膜と酸化シリコン膜との界面、またはその近傍の膜中にトラップを有する絶縁ゲート型の電界効果トランジスタからなる不揮発性半導体記憶装置の書き換え方法であって、前記ゲートに電圧を印加して前記トラップ内に正または負の電荷を蓄積させる際、正の電荷を蓄積させるために印加する書き換え電圧の絶対値を、負の電荷を蓄積させるために印加する書き換え電圧の絶対値よりも小さくして書き換えを行なうことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の書き換え方法。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434