特許
J-GLOBAL ID：200903044045679228
3極プラズマCVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-019194
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217907
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 第3電極への成膜を抑制して第3電極から基板へ向かうパーティクルを低減させることができ、それによって、従来に比べ良質の成膜を行える3極プラズマCVD装置を提供する。【構成】 高周波電極2と接地電極3の間に配置したラジカル制御用の第3電極4aを、その周囲に配置した誘導コイル41に誘導加熱用高周波電源42から電圧印加することで誘導加熱し、該電極への成膜を抑制する3極プラズマCVD装置。
請求項（抜粋）：
高周波電極と接地電極の間に配置したラジカル制御用の第3電極を加熱する手段を設けたことを特徴とする3極プラズマCVD装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/31
