特許

J-GLOBAL ID：200903044049781930

半導体基板の表面清浄方法

発明者： 市村 好克
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 久保田 千賀志 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-225795
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055365
出願日： 1995年08月10日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】 基板の結晶に損傷を与えることなく、該基板上に生成している酸化膜などの不純物を、該基板への再成長室内にて、除去する方法を提供する。【解決手段】 III-V族系半導体基板またはII-VI族系半導体基板上にMBE法で成長したII-VI族系半導体エピタキシャル膜を基板とし、該エピタキシャル膜上にMBE法でII-VI族系半導体を再成長させる際に、同成長室内で、He/H2混合ガスプラズマビームを同基板に照射して、同基板表面をクリーニングする。ZnSeバルク結晶を基板とし、該バルク結晶上にMBE法でII-VI族系半導体を成長させる際に、同成長室内で、He/H2混合ガスプラズマビームを同基板に照射して、同基板表面をクリーニングする。

請求項（抜粋）：

III-V族系半導体基板あるいはII-VI族系半導体基板上に分子線エピタキシー法で成長したII-VI族系半導体エピタキシャル結晶膜を基板として用い、該エピタキシャル結晶膜基板上に分子線エピタキシー法でII-VI族系半導体を再成長させる際に、同成長室内で、He/H2混合ガスプラズマビームを同基板に照射して、同基板表面をクリーニングすることを特徴とする半導体基板の表面清浄方法。

IPC (7件)：

H01L 21/304 341 ,  C23F 4/00 ,  C23G 5/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/363

FI (7件)：

H01L 21/304 341 D ,  C23F 4/00 C ,  C23G 5/00 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/302 N