特許
J-GLOBAL ID：200903044050462776
スポットサイズ変換器の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-005556
公開番号（公開出願番号）：特開平9-197153
出願日： 1996年01月17日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 コア層の成膜プロセスとコア層をパターニングするためのマスク形成工程がそれぞれ1回ですみ、しかも、そのマスクを平面上に形成することができるスポット変換器の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板11の表面に段差を形成し、その上に下層クラッド12を成膜する。そして、下層クラッドの上に段差の高さより厚いコア13を成膜し、コアの上部を研磨してその表面を平坦化する。これによりコアの厚さは光の伝搬方向に沿って変化する。次に平坦なコアの表面にレジストマスクを形成してコアをエッチングしコアリッジを形成する。これによりコアの幅は、光の伝搬方向に沿って変化する。最後に上層クラッド14を成膜してコアリッジを埋め込む。
請求項（抜粋）：
入射側のスポットサイズと出射側のスポットサイズが異なる光導波路を基板上に形成するスポットサイズ変換器の製造方法において、前記基板の表面に段差を形成する工程と、該段差が形成された基板上に該段差と交差する向きに前記光導波路を形成する工程とを含むことを特徴とするスポットサイズ変換器の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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