特許

J-GLOBAL ID：200903044051395266

結晶質膜の製膜方法およびその製膜装置

発明者： 三谷 力 ,  白鳥 哲也 ,  新宅 秀信 ,  鈴木 茂夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-285743
公開番号（公開出願番号）：特開平6-136519
出願日： 1992年10月23日
公開日（公表日）： 1994年05月17日
要約：

【要約】【目的】 本発明は結晶質膜の製膜方法とその製膜装置に関するものであって、特に従来に比べて低温で、かつ大きい製膜速度で高品質な結晶質膜が製膜できることを特徴としており、例えば低コストな太陽電池を多量に提供することを目的としている。【構成】 粒径20nm以下のSiの結晶質微粒子3を減圧ガス雰囲気中に設置したSi電極5、6間のアーク放電で生成し、加熱した基板1上に堆積することによって、低温で高品質な多結晶質薄膜を製膜する。

請求項（抜粋）：

粒径が20nm以下の結晶質微粒子を不活性ガス雰囲気中で生成するとともに基板上に堆積し、前記微粒子の堆積中に基板を加熱、もしくは前記微粒子の堆積後に基板を加熱する結晶質膜の製膜方法。

IPC (4件)：

C23C 14/24 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/02