特許

J-GLOBAL ID：200903044058982981

張り合わせSOI基板、その作製方法及びそれに形成されたMOSトランジスター

発明者： 橋本 誠
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-275903
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125879
出願日： 1996年10月18日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】 MOSトランジスターのチャネル領域とソース/ドレイン領域で異なる厚さのSOI 層を有する張り合わせSOI基板及びその作製方法を提供する。【解決手段】 第1のSiウエハーの表面上に第1のシリコン酸化膜102 を形成し、この酸化膜102 の上に、第1のSiウエハーに形成されるMOSFETのチャネル領域の上方に位置する構造物103 を形成し、このSiウエハーに構造物103 及び上記酸化膜102 を通して Smart Cut法におけるイオン注入を行う。これにより、上記Siウエハーにおいて構造物103 の下方の領域におけるイオン注入のピークレンジをその他の領域におけるイオン注入のピークレンジより浅く形成する。構造物103 及び上記酸化膜102 の上に第2のシリコン酸化膜106 を形成し、この酸化膜106 の表面に第2のSiウエハー107 を張り合わせ、この後、第1のSiウエハーを上記イオン注入のピークレンジの部分で切断する。

請求項（抜粋）：

Siウエハーの表面上に第1の絶縁膜を形成する工程と、上記第1の絶縁膜の上に、上記Siウエハーに形成されるMOSトランジスターのチャネル領域の上方に位置する構造物を形成する工程と、上記Siウエハーに上記構造物及び上記第1の絶縁膜を通して Smart Cut法におけるイオン注入を行うことにより、該Siウエハーにおいて該構造物の下方の領域におけるイオン注入のピークレンジをその他の領域におけるイオン注入のピークレンジより浅く形成する工程と、上記構造物及び上記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成する工程と、上記第2の絶縁膜の表面に半導体ウエハーを張り合わせる工程と、上記Siウエハーを上記イオン注入のピークレンジの部分で切断する工程と、を具備することを特徴とする張り合わせSOI基板の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 618 D ,  H01L 29/78 627 D