特許
J-GLOBAL ID：200903044062772851
結晶シリコン薄膜半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-043301
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237443
出願日： 2000年02月21日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 コストダウンを図りながら厚さ方向に一様に配向した高品質な多結晶シリコン薄膜を得ることができる結晶シリコン薄膜半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 非晶質シリコン層9,20に厚さ方向に所定の強度の電界を印加するとともに所定の温度で加熱して金属触媒層8,15の元素を非晶質シリコン層9,20中にあるいは非晶質シリコン層9,20に接触して導入することによって多結晶シリコン層5,16とするようにした。
請求項（抜粋）：
ガラス,SUS等の基板と、前記基板上に形成され、金属触媒元素の導入によって非晶質シリコン層から変換させられた多結晶シリコン層と、前記多結晶シリコン層の両面もしくは一方の面に設けられた正およびまたは負の電極を備え、前記多結晶シリコン層は、厚さ方向への所定の強度の電界と所定の温度の加熱の下で前記触媒元素を導入されることにより前記非晶質シリコン層から変換させた構成を有することを特徴とする結晶シリコン薄膜半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/20
, H01L 31/04 X
5F051AA03
, 5F051CB24
, 5F051CB29
, 5F051DA04
, 5F051GA02
, 5F051GA03
, 5F052AA11
, 5F052CA00
, 5F052DA02
, 5F052DB03
, 5F052EA13
, 5F052FA06
, 5F052JA09
