特許

J-GLOBAL ID：200903044068308685

化合物半導体装置の製造方法

発明者： 斉藤 吉広
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-235316
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061264
出願日： 1992年08月11日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、FET特性が安定した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 GaAs基板(1)表面に不純物領域(3)を通常の方法で形成した後、全面にSiO2 膜(5)を形成する。このときの成長温度を380°C超過460°C未満の範囲内に設定する。次に、通常のリソグラフィ蒸着により、ゲート電極(2)とオーミック電極(4)を形成する。成長温度を380°C超過としたのは、しきい値電圧の変動量がほぼ安定する温度であることを見出だしたことによる。また、460°C未満としたのは、460°C以上であるとGaAs基板中のAsが解離してしまうからである。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、Ti/Pt/Au層からなるゲート電極を有する電界効果トランジスタを形成する際、層間絶縁膜もしくは電極間絶縁膜として用いられるSiO2 膜を、380°C超過460°C未満の成長温度で熱CVD法により形成することを特徴とする、化合物半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/316