特許

J-GLOBAL ID：200903044070464040

半導体レーザダイオード及びその製造方法

発明者： 金田 直樹 ,  大村 雅一 ,  飯塚 和幸
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-371857
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136273
出願日： 2003年10月31日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】不純物拡散による活性層の劣化を防ぎ、なおかつp型クラッド層のキャリア濃度を十分に高くすることを実現し、高品質なAlGaInP系半導体レーザダイオードを得ることを可能とする。【解決手段】活性層4の成長後、p型クラッド層5成長開始後のしばらくの間は十分なMg原料を供給しながらp型クラッド層(第一部分5a)を成長させ、途中で一時的にMg原料の供給を停止したままp型クラッド層の成長(第二部分5b)を続行し、再びMg原料を供給しながらp型クラッド層(第三部分5c)を成長し、最後にZn-GaAsコンタクト層6を成長する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

n型のGaAs基板と、該基板上に形成したAlGaInPからなるn型クラッド層と、該n型クラッド層上に形成した活性層と、該活性層上に形成したAlGaInPからなるp型クラッド層と、該p型クラッド層上に形成したp型コンタクト層を備えたAlGaInP系半導体レーザダイオードにおいて、 上記p型コンタクト層がZnドープGaAs層からなり、 上記p型クラッド層が、Mgがドープされた第一部分と、Mgがドープされていないか又はMg濃度が前記第一部分よりも低い領域である第二部分と、Mgがドープされた第三部分とを有することを特徴とする半導体レーザダイオード。

IPC (1件)：

H01S5/323

FI (1件)：

H01S5/323

Fターム (8件)：

5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073BA05 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-049552   出願人：ソニー株式会社
• 特許第3053836号公報(第3図)
  

審査官引用 (1件)

• 窒化ガリウム系半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-035775   出願人：株式会社東芝