マイクロ波プラズマ処理装置および処理方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-274726
公開番号（公開出願番号）：特開平8-138890
出願日： 1994年11月09日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】高密度,均一なプラズマを発生させ、試料に対して均一性等の向上した高性能な処理を行う。【構成】円形導波管5内を通って伝播するマイクロ波を、その空間内でインピーダンス整合するのに設置されたマイクロ波チューニング手段によってチューニングし、均一で最も効率の良い状態でマイクロ波導入窓4を介してテーパ状に拡大した耐プラズマ性を有した内面を有する放電ブロック3内に導入する。これにより、ガス供給手段21および真空排気手段13によって所定圧力に制御された処理ガスが、効率良く導入されたマイクロ波の電界とソレノイドコイル91による磁界との相互作用によって、さらに均一かつ高密度にプラズマ化される。

請求項（抜粋）：

被処理基板が配置される試料台と、前記試料台を内部に有し前記試料台の前記被処理基板配置面に対向して開口部を有する処理室と、前記処理室の前記開口部外側に取り付けられ非磁性導電材料でなる中空円筒で前記試料台方向に対しテーパ状に拡大した内面を有する放電ブロックと、前記放電ブロックの他端開口部にマイクロ波導入窓を介して接続した円形導波管と、前記円形導波管内に設けられマイクロ波のチューニングを行うチューニング手段と、前記放電ブロックの外側に設けられたソレノイドコイルと、前記放電ブロック内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内を所定圧力に減圧排気する真空排気手段とを具備することを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平4-133322
プラズマ装置および該装置の使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-108709 出願人：住友金属工業株式会社
特開平3-140470

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