特許

J-GLOBAL ID：200903044081513166

半導体薄膜の成長方法

発明者： 今井 秀秋 ,  宮田 邦夫
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-138166
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243153
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子、とくに紫外〜青色領域の光素子用として最適な窒化ガリウム系半導体薄膜を得ること。【構成】 窒化ガリウム系半導体薄膜をガスソースMBE法により作製する際、成長室内を高真空に、かつ炭素含有化合物の存在量の少ない条件に保持し、窒素源としてアンモニアガスあるいは三フッ化窒素を用いて薄膜を成長する。【効果】 不純物レベルによる発光を低くすることができ、とくに半導体発光素子として最適な窒化ガリウム系半導体薄膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系半導体薄膜の製造において、薄膜成長室内を高真空に、かつ炭素含有化合物の分圧を10-3Torr以下に保持し、窒素源としてアンモニアガスまたは三フッ化窒素を供給することを特徴とする窒化ガリウム系半導体薄膜の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C01B 21/06 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18