特許

J-GLOBAL ID：200903044082541902

単結晶引上装置および単結晶引き上げ方法

発明者： 安部 啓成 ,  小野 直樹 ,  新井 義明 ,  喜田 道夫 ,  降屋 久
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-259293
公開番号（公開出願番号）：特開平7-089791
出願日： 1993年09月22日
公開日（公表日）： 1995年04月04日
要約：

【要約】【目的】 高酸素濃度のシリコン単結晶棒を安定して引き上げることができるMCZ法およびその装置を提供する。【構成】 3500ガウス程度の磁場を印加し、5rpmでるつぼを回転させながらシリコン単結晶棒Si(Cr)を引き上げる。このとき、石英るつぼ13の底壁部分13Aをヒータ18により1500〜1800°Cに加熱する。この結果、1.4〜2.5×1018/cm-3の高濃度の単結晶シリコン棒を安定して引き上げることができる。

請求項（抜粋）：

シリコン融液を保持する石英るつぼと、このシリコン融液を加熱する加熱手段と、シリコン融液から単結晶棒を引き上げる引上手段と、シリコン融液に対して水平方向に磁場を印加する磁場印加手段とを備えた単結晶引上装置において、上記石英るつぼの底壁部を加熱する底壁加熱手段を設けたことを特徴とする単結晶引上装置。

IPC (3件)：

C30B 15/14 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-229786