特許

J-GLOBAL ID：200903044082603096

半導体装置及びその製造方法

発明者： 南幅 学
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-193477
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041298
出願日： 1996年07月23日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 Cu又はCuを主成分とする合金を配線等に用いた場合に、工程数の大幅な増加やコンタクト抵抗の大幅な増大等なしにCu表面の酸化を防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 銅又は銅を主成分とする合金からなる導電体層18を有し、この導電体層18の表面から少なくとも10nmの深さにわたって1020cm-3乃至1023cm-3の濃度のフッ素が含有されている。

請求項（抜粋）：

銅又は銅を主成分とする合金からなる導電体層を有し、この導電体層の表面から少なくとも10nmの深さにわたって1020cm-3乃至1023cm-3の濃度のフッ素が含有されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/60 301

FI (3件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/60 301 P