通信システム用機器及び半導体集積回路装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-350923
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237576
出願日： 2001年11月16日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】使用温度、スペース上の制約などが過酷な条件下に配置するのに適した通信システム用機器を提供する。【解決手段】通信システム用機器は、SiC基板10上にショットキーダイオード20,MOSFET30,40,キャパシタ50及びインダクタ60を集積してなる半導体デバイスを備えている。SiC基板10には、高濃度のn型不純物(窒素)を含むδドープ層12aとアンドープ層12bとが交互に積層された第1の積層部12と、高濃度のp型不純物(アルミニウム)を含むδドープ層13aとアンドープ層13bとが交互に積層された第2の積層部13とが下方から順に設けられている。δドープ層のキャリアがアンドープ層にまで広がる。そして、アンドープ層における不純物濃度が低いことから、不純物イオン散乱は少なくなって、低抵抗と高い耐圧値とが得られる。

請求項（抜粋）：

通信システムに配置され、化合物半導体を用いて形成された能動素子を有する機器であって、上記能動素子は、基板上に設けられた化合物半導体層と、上記化合物半導体層の上に設けられた活性領域であって、キャリア走行領域として機能する少なくとも1つの第1の半導体層と、高濃度のキャリア用不純物を含み上記第1の半導体層よりも膜厚が薄く量子効果によるキャリアの分布が可能な少なくとも1つの第2の半導体層とを互いに接するように設けて構成される活性領域とを備えていることを特徴とする通信システム用機器。

IPC (8件)：

H01L 27/095 , H01L 21/06 , H01L 21/822 , H01L 21/8232 , H01L 21/8234 , H01L 27/04 , H01L 27/06 , H01L 29/872

FI (5件)：

H01L 29/80 E , H01L 27/06 102 A , H01L 27/06 F , H01L 27/04 A , H01L 29/48 D

Fターム (42件)：

4M104AA03 , 4M104BB05 , 4M104CC03 , 4M104DD26 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG12 , 4M104GG13 , 5F038AV01 , 5F038AV04 , 5F038AV06 , 5F038AZ03 , 5F038AZ04 , 5F038DF02 , 5F038EZ02 , 5F038EZ20 , 5F048AA05 , 5F048AC10 , 5F048BA03 , 5F048BA05 , 5F048BA14 , 5F048BB05 , 5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102GA05 , 5F102GA14 , 5F102GA15 , 5F102GA16 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ04 , 5F102GL02 , 5F102GL07 , 5F102GL08 , 5F102GL20 , 5F102GM02 , 5F102GM08 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC04

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