特許
J-GLOBAL ID：200903044091236772
半導体製造装置の耐熱用具及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
平井 安雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-087696
公開番号（公開出願番号）：特開平9-249471
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、半導体の製造工程におけるCZ法引上げ炉の炉内で結晶成長に使用される坩堝又は酸化炉、拡散炉におけるチューブ、ボート、カンチパドル等及びCVD炉で使用されるサセプタ等の半導体ウェーハ熱処理治具としての半導体製造装置の耐熱用具に関し、不純物を溶出する基材の保護膜のクラック・剥離等を防止することができる半導体製造装置の耐熱用具及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基台部1の基材を多孔質で形成し、この多孔質内部に基台部1の表面から所定の厚みで多孔質の基材の軟化点以下の温度により緩衝層2を形成し、この緩衝層2の中間材と熱膨張係数が同等な表層材で緩衝層2の上面に保護膜3を形成するようにしているので、基台部1の多孔質を保持しつつ、この多孔質の基材内の緩衝層2を形成でき、基材を中間材との熱膨張係数の差異に基づく膨張力及び収縮力を多孔質内で三次元的に吸収して緩和できることとなり、基台部1から保護膜3の剥離が防止できると共に、保護膜3のクラック発生を防止できる。
請求項（抜粋）：
基台部上に当該基台部の材質と異なる材質からなる保護膜が形成される半導体製造装置の耐熱用具において、多孔質の基材で形成される基台部と、前記基台部の基材より熱膨張係数が大きな中間材で基台部の基材の多孔質を維持しつつ基台部の多孔質内部に表面から所定の厚みに形成される緩衝層と、前記緩衝層の中間材と熱膨張係数が同等又は以上の表層材で緩衝層の表面側に積層形成される保護膜を備えることを特徴とする半導体製造装置の耐熱用具。
IPC (7件)：
C04B 41/89
, B32B 18/00
, C04B 41/85
, C04B 41/87
, H01L 21/205
, H01L 21/22 501
, H01L 21/31
C04B 41/89 K
, B32B 18/00 A
, C04B 41/85 C
, C04B 41/87 G
, H01L 21/205
, H01L 21/22 501 M
, H01L 21/31 F
