特許
J-GLOBAL ID：200903044092028120
半導体装置におけるコンタクト孔の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-203749
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053333
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置における深い、浅い複数のコンタクト孔の形成方法に関するもので、コンタクト孔形成のためのエッチングがオーバーエッチングにならないようにするとともに、工程の繁雑さを解消することを目的とするものである。【構成】 コンタクト孔を形成する絶縁膜5上にホトリソグラフィ反射防止膜(実施例ではTiN膜)14を形成した後、それを利用してコンタクト孔6a,7a,8aを形成するようにしたものである。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜上にホトリソグラフィ反射防止膜を形成した後、コンタクト孔を形成するようにしたことを特徴とする半導体装置におけるコンタクト孔の形成方法。
IPC (2件)：
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