特許

J-GLOBAL ID：200903044096038812

半導体レーザの製造方法

発明者： 矢島 浩義 ,  山中 圭一郎 ,  加藤 真 ,  石橋 明彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 蔵合 正博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-232788
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046177
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】 レーザスクライブ法におけるクラックやチッピング等の欠陥の発生が抑制され、化合物半導体積層物の特性を変化させずに、良好な劈開面である光共振器を得て、ひいては製品歩留を向上せしめた、半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 超短パルスレーザ光31は、酸化物単結晶基板1とストライプ状の発光領域を有する化合物半導体積層物10からなる積層体基板に対して、化合物半導体積層物10側からストライプと垂直な方向に照射される。超短パルスレーザ光31の波長は、化合物半導体積層物10および酸化物単結晶基板1に対して透明な波長である。これにより入射面あるいは入射面とは反対面にスクライブ32、34を行ない、その後図示はしないが劈開することにより、クラックやチッピング等の欠陥がなく、かつ化合物半導体積層物の特性変化がない、半導体レーザ素子が得られる。

請求項（抜粋）：

酸化物単結晶基板とストライプ状の発光領域を有する化合物半導体積層物からなる積層体基板に対して、少なくとも前記ストライプと垂直な方向に、少なくとも前記酸化物単結晶基板に対して透明な波長の超短パルスレーザ光を照射して前記積層体基板にレーザスクライブを行い、前記レーザスクライブ痕に沿って前記積層体基板を劈開することを特徴とする半導体レーザの製造方法。

IPC (4件)：

H01S 5/02 ,  B23K 26/00 ,  H01S 3/00 ,  B23K101:40

FI (4件)：

H01S 5/02 ,  B23K 26/00 D ,  H01S 3/00 B ,  B23K101:40

Fターム (21件)：

4E068AD01 ,  4E068CA03 ,  4E068CA07 ,  4E068CB10 ,  4E068DA09 ,  4E068DA11 ,  5F072AB02 ,  5F072AB09 ,  5F072JJ20 ,  5F072MM08 ,  5F072MM09 ,  5F072RR01 ,  5F072RR03 ,  5F072SS08 ,  5F072YY06 ,  5F072YY08 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA32 ,  5F073DA34