絶縁ゲイト型電界効果半導体装置およびその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-035484
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021794
出願日： 1991年02月04日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】ゲート電極周囲に絶縁膜を形成し、非感光性の半導体を用いることで、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを画素の駆動素子としたアクティブ型の液晶表示装置等の表示装置の特性、信頼性を高めることを目的とする。【構成】ゲート電極周囲に酸化アルミニウムの絶縁膜(40)を設けることによって、ソース領域5、5, 、ドレイン領域6、6, への給電点とチャネル端部との距離を短くした絶縁ゲイト型電界効果トランジスタであって、さらにこの絶縁ゲイト型電界効果トランジスタのソース、ドレイン、チャネル形成領域となる半導体膜2、2, は、非感光性を持たせるために酸素、炭素または窒素が1×1020cm-3以上、20原子%以下含まれていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた薄膜型構造の絶縁ゲイト型電界効果半導体装置であって、ゲート電極にアルミニウムを用い、かつゲート電極の周囲の少なくとも一部がアルミニウムの酸化物でおおわれており、またチャネル形成領域を構成する半導体は絶縁物に挟まれ、酸素、炭素または窒素が1×1020cm -3 以上、20原子%以下を含有するシリコン半導体を主成分とするとともに、結晶性を有することを特徴とする絶縁ゲイト型電界効果半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/784 , H01L 27/092 , H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 29/78 311 G , H01L 27/08 321 M , H01L 29/78 311 R

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開昭62-042566
特開昭63-178560
特開昭51-001081

全件表示

前のページに戻る