特許
J-GLOBAL ID：200903044098519346
半導体レーザの製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071462
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270803
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 アニール処理後の化学エッチングを取扱いの容易なエッチャントにより行うことができると共に、エッチングコントロールを正確にすることができ、良質な膜質でp形クラッド層の活性化率を向上させ、温度特性の優れた半導体レーザを得る製法を提供する。【解決手段】 (a)基板1上にAlGaInP系化合物半導体からなる下部クラッド層2、活性層3、上部第1クラッド層4を順次エピタキシャル成長し、(b)GaAsからなる電流狭窄層6をエピタキシャル成長し、(c)1×10-4以上の高真空で、かつ、ヒ素分圧がヒ素の蒸気圧より高い分圧でアニール処理を行い、(d)電流狭窄層にストライプ状の化学エッチングを行い、(e)AlGaInP系化合物半導体からなる上部第2クラッド層7およびGaAsからなるコンタクト層8をエピタキシャル成長することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
(a)基板上にAlGaInP系化合物半導体からなる下部クラッド層、活性層、上部第1クラッド層を順次エピタキシャル成長し、(b)GaAsからなる電流狭窄層をエピタキシャル成長し、(c)1×10-4以上の高真空で、かつ、ヒ素分圧がヒ素の蒸気圧より高い分圧でアニール処理を行い、(d)電流狭窄層にストライプ状の化学エッチングを行い、(e)AlGaInP系化合物半導体からなる上部第2クラッド層およびGaAsからなるコンタクト層をエピタキシャル成長することを特徴とする半導体レーザの製法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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