特許
J-GLOBAL ID：200903044105097410
シリコンウェーハの熱処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-139000
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334848
出願日： 2001年05月09日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：
【要約】【課題】 シリコンウェーハの熱処理装置において、石英チューブに曇りが生じず、長期にわたって良好な状態で熱処理を行うこと。【解決手段】 シリコンウェーハWを内部に設置可能なかつ少なくとも一部の壁部が赤外領域から可視領域までの波長の光線を透過可能な反応室2と、該反応室内のシリコンウェーハに反応室外部から光線を照射して熱処理する光線照射機構3と、前記熱処理中に前記反応室内に雰囲気ガスGを供給するガス供給機構4とを備えるシリコンウェーハの熱処理装置であって、前記ガス供給機構は、NH3を含む前記雰囲気ガスを供給可能である。
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハを内部に設置可能なかつ少なくとも一部の壁部が赤外領域から可視領域までの波長の光線を透過可能な反応室と、該反応室内のシリコンウェーハに反応室外部から前記光線を照射して熱処理する光線照射機構と、前記熱処理中に前記反応室内に雰囲気ガスを供給するガス供給機構とを備えるシリコンウェーハの熱処理装置であって、前記ガス供給機構は、NH3を含む前記雰囲気ガスを供給可能であることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/322 Y
, H01L 21/26 G
