特許

J-GLOBAL ID：200903044105426685

半導体装置の製造方法

発明者： 下山 敏史
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 川北 喜十郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-212081
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041222
出願日： 1996年07月23日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 フォトリソグラフィーを用いた半導体装置の製造において絶縁膜とレジスト膜との接着性を一層向上し、エッチャントによる絶縁膜の不要な浸食を防止する。【解決手段】 半導体基板上に形成したSiN等の絶縁膜の表面を酸素プラズマ処理し、純水により洗浄し、乾燥した後に、HMDS等のフォトレジスト接着促進剤及びフォトレジストを順次塗布する。酸素プラズマ、水洗及び乾燥工程を経ることにより絶縁膜の表面上にOH基を均一に形成させることができ、他の分子の絶縁膜表面への吸着を防止することができ、接着促進剤を介した絶縁膜とレジストとの接着性が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成した絶縁膜上にフォトレジストを塗布して、フォトリソグラフィーにより所定のパターンの半導体装置を製造する方法において、上記絶縁膜の表面を酸素プラズマ処理し、洗浄及び乾燥した後に、フォトレジスト接着促進剤及びフォトレジストを順次塗布することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/316

FI (6件)：

H01L 21/30 563 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/302 N