特許
J-GLOBAL ID：200903044107492260
トランジスタ増幅器の過入力保護回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-330175
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172328
出願日： 1995年12月19日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【課題】自己バイアスにより増幅動作するトランジスタ増幅器に過大信号が入力しないように保護する。【解決手段】過入力保護回路1の検波部12は、CMカプラ11の出力を検波して入力信号S1のレベルを示す検波電圧Vsを出力する。Vbe検出部13は、トランジスタTR1のベース・エミッタ間電圧Vbeを検出する。可変減衰部14は、制御信号Csに応じて入力信号S1を減衰させる。制御部15は、ベース・エミッタ間電圧Vbeおよび検波電圧Vsに基づて可変減衰部14を制御する。すなわち、エミッタ・ベース間降伏電圧に基づいて予め設定された値以下にVbeが低下したときに減衰制御を開始し、その後、入力信号レベルが所定値以下に低下したときに減衰制御を停止することにより、エミッタ・ベース間降伏電圧以上の過大信号がトランジスタに印加されないように制御する。
請求項（抜粋）：
自己バイアスによって動作点が変化するトランジスタ増幅器の初段トランジスタを過入力から保護する過入力保護回路において、入力信号のレベルを検出する信号レベル検出手段と、前記初段トランジスタの入力側に設けられて前記入力信号を減衰させる可変減衰手段と、前記初段トランジスタのベース・エミッタ間電圧Vbeを検出するVbe検出手段と、前記信号レベル検出手段の出力および前記Vbe検出手段の出力に基づいて前記可変減衰手段の減衰量を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記初段トランジスタのエミッタ・ベース間降伏電圧に基づいて予め設定された値以下に前記ベース・エミッタ間電圧Vbeが低下したときに前記可変減衰手段の減衰制御を開始し、その後は前記入力信号レベルに応じて前記減衰制御を行うと共に前記入力信号レベルが所定値以下に低下したときに前記減衰制御を停止することを特徴とするトランジスタ増幅器の過入力保護回路。
IPC (3件)：
H03F 1/52
, H03G 3/10
, H03G 3/30
H03F 1/52 Z
, H03G 3/10 A
, H03G 3/30 E
