特許

J-GLOBAL ID：200903044109376569

高誘電率誘電体材料の安定化

発明者： オルセン, クリストファー ,  ナルワンカー, プラヴィン, ケー. ,  ケア, シュレヤス, エス. ,  サクア, ランディア ,  ムシュクリシュナン, シャンカー ,  クラウズ, フィリップ, エー.
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-527300
公開番号（公開出願番号）：特表2008-500741
出願日： 2005年05月12日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

本発明の実施形態は、基板を、一連の堆積プロセス、窒化プロセス及びアニールプロセスに曝して誘電体スタックを形成する方法を提供する。一実施形態において、方法は、基板を堆積プロセスに曝して前記基板上に誘電体層を形成し、前記基板を窒化プロセスに曝してその上に窒化物層を形成し、前記基板をアニールプロセスに曝し、中間に周期的に前記基板をアニールプロセスに曝しながら前記基板を連続して堆積プロセス及び窒化プロセスに曝して所定の厚さを有する誘電体材料を形成することを含む。一般的に、窒化プロセス中に窒素プラズマが使用され、約5at%〜約25at%の範囲内の窒素濃度を形成する。誘電体層は、通常、酸素及びハフニウム、タンタル、チタニウム、アルミニウム、ジルコニウム、ランタン、シリコン又はその組み合わせなどの少なくとも一種の付加元素を含有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に誘電体スタックを形成する方法であって、 基板上に第1の誘電体層を堆積するステップと、 前記第1の誘電体層を窒化プロセスに曝して第1の窒化物層を形成するステップと、 前記第1の窒化物層上に第2の誘電体層を堆積するステップと、 前記第2の誘電体層を窒化プロセスに曝して第2の窒化物層を形成するステップと、 前記基板を、所定の期間にアニールプロセスに曝すステップと、 を備える、方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/318

FI (5件)：

H01L21/316 P ,  H01L21/316 X ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/04 C ,  H01L21/318 Z

Fターム (30件)：

5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC11 ,  5F058BC20 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD15 ,  5F058BD18 ,  5F058BF06 ,  5F058BF37 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ04 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD17 ,  5F140BE01 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17