特許
J-GLOBAL ID：200903044110643864
超電導体を用いた低磁場形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-085723
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308199
出願日： 1991年03月27日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：
【要約】【目的】 シールドする所定空間内の残留磁場を減少させるためにフラックスフローとして利用した磁束がシールド空間内を移動することによって生じるノイズを防止することによって、超電導体でシールドされた空間の残留磁場を低減又は解消させる低磁場形成方法を得ることを目的とする。【構成】 超電導シールド体に囲まれる所定空間を転移温度以下の第1の冷却温度に冷却した後、前記シールド体に外部磁場の1.2倍以上の磁場を印化して内部磁束を外部に流出させた後、前記冷却温度よりも低い第2の冷却温度に冷却するもの、第1の冷却温度で低磁場空間を作った後、超電導体の温度を更に第2の冷却温度に低下させることにより、より低い温度では磁場の変化が著しく小さくなるため、内部磁場の変化が事実上無くなり、内部のノイズを解消することができる。
請求項（抜粋）：
転移温度以下の冷却時に、常電導状態から超電導状態へ転移してマイスナー効果を発現する超電導材料からなる超電導シールド体に囲まれる所定空間を、前記転移温度以下の冷却温度に冷却した後、前記シールド体に外部磁場の1.2倍以上の磁場を印化して、内部磁束を外部に流出させて低磁場を形成する方法において、前記シールド体に外部磁場の1.2倍以上の磁場を印化した後、前記冷却温度よりも低い第2の冷却温度に冷却することを特徴とする超電導体を用いた低磁場形成方法。
引用特許：
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