特許
J-GLOBAL ID：200903044113673683
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-039640
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249681
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法、特に、拡散防止やマイグレーション防止のために窒化チタン膜を介して形成される配線の形成方法に関し、窒化チタン膜の表面に酸化チタンが形成されないようにして、配線とシリコン層または配線相互間のコンタクト抵抗を低くする方法を提供することを目的とする。【構成】 シリコン層1または第1層配線6上に絶縁膜2を形成し、絶縁膜2にコンタクトホール3を形成し、コンタクトホール3内を含む絶縁膜2上に窒化チタン膜4を形成し、窒化チタン膜4の表面に存在する未反応チタンと未反応チタンの表面に自然酸化により形成された酸化チタンとを選択的に除去し、窒化チタン膜4上に金属膜5・8を形成し、金属膜5・8と窒化チタン膜4とをパターニングして配線を形成するように構成する。
請求項（抜粋）：
シリコン層(1)上に絶縁膜(2)を形成し、該絶縁膜(2)にコンタクトホール(3)を形成し、該コンタクトホール(3)内を含む前記絶縁膜(2)上に窒化チタン膜(4)を形成し、該窒化チタン膜(4)の表面に存在する未反応チタンと該未反応チタンの表面に自然酸化により形成された酸化チタンとを選択的に除去し、前記窒化チタン膜(4)上に金属膜(5)を形成し、該金属膜(5)と前記窒化チタン膜(4)とをパターニングして配線を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/318
