半導体層間絶縁膜の形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-359541
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231715
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体層間絶縁膜を形成する新規な方法を提供する。【解決手段】化学式1の化合物または化学式1の化合物と化学式2の化合物の混合物を有機溶媒下で触媒と水を利用して加水分解反応及び縮合反応させて製造したシロキサン系樹脂を有機溶媒に溶かしてシリコン基板上にコーティングした後、熱硬化させる前記化学式でRは水素原子またはC1〜C3のアルキル基、C3〜C10のシクロアルキル基またはC6〜C15のアリール基であり、X1、X2及びX3は各々独立的にC1〜C3のアルキル基、C1〜C10のアルコキシ基またはハロゲン基であり、nは3ないし8の整数であり、mは1ないし10の整数である。前記化学式でRは水素原子またはC1〜C3のアルキル基、C3〜C10のシクロアルキル基またはC6〜C15のアリール基であり、X1、X2及びX3は各々独立的にC1〜C3のアルキル基、C1〜C10のアルコキシ基またはハロゲン基である。

請求項（抜粋）：

下記化学式1の化合物または下記化学式1の化合物と下記化学式2の化合物の混合物を有機溶媒下で触媒と水を利用して加水分解反応及び縮合反応させてシロキサン系樹脂を製造し、このシロキサン系樹脂を有機溶媒に溶かしてシリコン基板上にコーティングした後、熱硬化させる過程を含む半導体層間絶縁膜の形成方法。【化1】前記化学式でRは水素原子またはC1〜C3のアルキル基、C3〜C10のシクロアルキル基またはC6〜C15のアリール基であり、X1、X2及びX3は各々独立的にC1〜C3のアルキル基、C1〜C10のアルコキシ基またはハロゲン基であり、nは3ないし8の整数であり、mは1ないし10の整数である。【化2】前記化学式でRは水素原子またはC1〜C3のアルキル基、C3〜C10のシクロアルキル基またはC6〜C15のアリール基であり、X1、X2及びX3は各々独立的にC1〜C3のアルキル基、C1〜C10のアルコキシ基またはハロゲン基である。

IPC (3件)：

H01L 21/312 , C08G 77/04 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/312 C , C08G 77/04 , H01L 21/90 Q

Fターム (15件)：

4J035BA12 , 4J035CA01K , 4J035EA01 , 4J035EB03 , 4J035LA03 , 4J035LB20 , 5F033RR25 , 5F033SS22 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033WW09 , 5F033XX24 , 5F058AC03 , 5F058AF04

引用特許：

審査官引用 (1件)

単一成分無機/有機網状物質、及びそれらの前駆体
公報種別：公表公報出願番号：特願平6-508262 出願人：イー・アイ・デユポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

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