特許
J-GLOBAL ID：200903044119818888
半導体ダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066260
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261807
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路の構造に起因する寄生バイポーラトランジスタの動作を規制し、製造技術を変更する事無しに、低VFの半導体ダイオードを半導体集積回路上のMOSトランジスタで実現すること。【解決手段】 MOSトランジスタを用いた半導体ダイオードであって、MOSトランジスタのゲートとドレインを接続し、および抵抗素子の一方に接続し、抵抗素子の他方はバルク接続してなることを特徴とする半導体。
請求項（抜粋）：
MOSトランジスタを用いた半導体ダイオードであって、MOSトランジスタのゲートにドレインを接続し、該ドレインを抵抗素子の一方に接続し、該抵抗素子の他方はバルク接続してなることを特徴とする半導体ダイオード。
IPC (4件)：
H01L 29/861
, H01L 21/8234
, H01L 27/06
, H03F 3/16
H01L 29/91 L
, H03F 3/16 Z
, H01L 27/06 102 G
