特許
J-GLOBAL ID：200903044123678985
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-370075
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195979
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 マイクロ波帯からミリ波帯までの高周波信号を取り扱う半導体装置に適用することができる接合部補強方法であって、半導体チップの気密性が確保され、素子形成面への樹脂の付着を回避でき、かつ比較的簡単な工程で製造コストの上昇を回避できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 GaAs半導体チップ12を回路基板11にフリップチップ接続する。キャップ14内に熱可塑性樹脂16を所定量入れ、Au-Sn共晶はんだ15によりキャップ14を回路基板11に接合し、キャップ14と回路基板11とにより形成される密閉空間内の気密性を確保する。キャップ14内に入れる熱可塑性樹脂16の量を調整して、熱可塑性樹脂16が半導体チップ12の下面側に付着しないようにする。
請求項（抜粋）：
回路基板と、前記回路基板上にフリップチップ接続された半導体チップと、前記回路基板に気密的に接合されて前記半導体チップを封止するキャップと、前記キャップの内面と前記半導体チップの上面との間に充填された熱可塑性樹脂とを有することを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 23/02 J
, H01L 23/02 C
