特許

J-GLOBAL ID：200903044128330332

樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

発明者： 山口 幸雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-330482
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134654
出願日： 1998年03月12日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 ダイパッドが封止樹脂の裏面から露出した樹脂封止型半導体装置の特性を改善する。【解決手段】 信号接続用リード12とダイパッド13と吊りリードとからなるリードフレームを備えている。ダイパッド13上に半導体チップ15が接合されており、半導体チップ15の電極パッドと信号接続用リード12とは、金属細線16により互いに接続されている。これらの部材は封止樹脂17内に封止されている。ダイパッド13の裏面が露出されて放熱面となり、信号接続用リード12の凸部の下面が露出されており、信号接続用リード12の凸部における下面を含む下部が外部電極18となっている。ダイパッド13は、信号接続用リード12に対して下方に位置するように、吊りリード14のディプレス部19によりダウンセットされている。

請求項（抜粋）：

電極パッドを有する半導体チップと、上記半導体チップを支持するダイパッドと、信号接続用リードと、上記半導体チップの電極パッドと上記リードとを電気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド,上記半導体チップ,信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記ダイパッドの下部の少なくとも一部と上記信号接続用リードの下部の少なくとも一部とは上記封止樹脂から露出しており、上記ダイパッドの露出している部分の下面と、上記信号接続用リードの露出している部分の下面とは互いに高さ位置が異なることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/50

FI (7件)：

H01L 23/12 501 T ,  H01L 23/12 501 W ,  H01L 21/56 H ,  H01L 21/56 T ,  H01L 23/50 G ,  H01L 23/50 K ,  H01L 23/50 R

Fターム (15件)：

5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061BA02 ,  5F061CA21 ,  5F061DD12 ,  5F067AA01 ,  5F067AA04 ,  5F067AA07 ,  5F067AB04 ,  5F067BD00 ,  5F067BE01 ,  5F067BE02 ,  5F067DE08 ,  5F067DE09 ,  5F067DF01