特許
J-GLOBAL ID:200903044130098811

半導体集積回路の信頼性検証方法及びセルライブラリデータベース

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉田 茂明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-341802
公開番号(公開出願番号):特開2001-155053
出願日: 1999年12月01日
公開日(公表日): 2001年06月08日
要約:
【要約】【課題】 大規模な半導体集積回路に対して検証もれなく信頼性検証が行える半導体集積回路の信頼性検証方法を得る。【解決手段】 ステップS12で、セルライブラリデータベース1Aに登録されたセルの入力負荷容量及び出力負荷容量を利用して、選択されたセルのセル内入出力負荷容量総和Cioを求め、ステップS13でセル間配線容量Cicを求める。その後、ステップS14で、セル内入出力負荷容量総和Cioとセル間配線容量Cicとを加算して出力端子負荷容量COUTを求める。そして、ステップS15で、出力端子負荷容量COUTに基づきセル間配線の故障率FOUTを求め、ステップS16で出力端子負荷容量COUTに基づき、セルライブラリデータベース1Aに登録された計算式を適用して故障率Fcellを得る。続いて、ステップS17で、故障率Fcellと故障率FOUTとの和を総故障率Ftotalとして求める。
請求項(抜粋):
セルライブラリデータベースを利用して、セル間配線によって互いに接続される複数のセルを含む半導体集積回路の信頼性を検証する半導体集積回路の信頼性検証方法であって、前記セルライブラリデータベースは、前記複数のセルそれぞれの入力負荷容量及び出力負荷容量を含むセル内入出力負荷容量情報と前記複数のセルそれぞれの外部端子にかかる負荷容量に基づくセル内配線の故障率計算方法の情報とを有しており、前記複数のセルそれぞれに対して以下のステップを実行する、(a)前記セル内入出力負荷容量情報に基づき、前記外部端子にかかる負荷容量を求めるステップ、(b)前記故障率計算方法を適用して、前記負荷容量に基づき、前記外部端子を有するセルのセル内配線の故障率を計算するステップ、半導体集積回路の信頼性検証方法。
IPC (4件):
G06F 17/50 ,  G01R 31/28 ,  G06F 11/22 330 ,  H01L 21/82
FI (5件):
G06F 11/22 330 B ,  G06F 15/60 666 Y ,  G01R 31/28 F ,  G06F 15/60 666 L ,  H01L 21/82 T
Fターム (27件):
2G032AA07 ,  2G032AD01 ,  5B046AA08 ,  5B046BA04 ,  5B046JA01 ,  5B046KA06 ,  5B048AA20 ,  5F064BB31 ,  5F064EE43 ,  5F064EE60 ,  5F064HH10 ,  5F064HH12 ,  5F064HH14 ,  9A001BB02 ,  9A001BB03 ,  9A001BB04 ,  9A001BB05 ,  9A001FF01 ,  9A001FF03 ,  9A001GZ05 ,  9A001HH21 ,  9A001JJ01 ,  9A001JJ45 ,  9A001JJ50 ,  9A001KK37 ,  9A001KK54 ,  9A001LL02

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