特許
J-GLOBAL ID：200903044136275537
量子素子の製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-232804
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075105
出願日： 1991年09月12日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 2つの量子細線及び絶縁膜を介してこれらに挾まれた量子ドットよりなる量子素子の製造方法を提供する。【構成】 絶縁膜上に形成された単結晶シリコン基板上のシリコン薄膜の所定の領域にイオンビームにより、酸素イオンを注入することによりシリコン酸化物を形成する第1の工程と、シリコン薄膜を所定の形状にエッチングする第2の工程よりなる。【効果】 上記構成の量子素子の形成時において、結晶欠陥が非常に少なく、電子散乱の抑制された良好な素子の作製が可能となる。
請求項（抜粋）：
絶縁膜上に形成された単結晶シリコン基板上のシリコン薄膜の所定の領域に収束イオンビームにより、酸素イオンを注入することによりシリコン酸化物を形成する第1の工程と、シリコン薄膜を所定の形状にエッチングする第2の工程よりなることを特徴とする量子素子の製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
