特許

J-GLOBAL ID：200903044146840739

半導体基板の製造方法

発明者： 八百 隆文 ,  ▲チョ▼ 明煥
出願人/特許権者： 株式会社 東北テクノアーチ ,  古河機械金属株式会社 ,  三菱化学株式会社 ,  DOWAエレクトロニクス株式会社 ,  エピバレー株式会社
代理人 (4件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-272323
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091729
出願日： 2006年10月03日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

【課題】III族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の第1側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を50°C以上の温度で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

下地基板の上にクロム層を50°C以上の温度で成膜するクロム層成膜工程と、 前記クロム層を窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程と、 を備えたことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/18

FI (3件)：

H01L21/20 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/18

Fターム (32件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED05 ,  4G077EE06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TC14 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  5F152LL03 ,  5F152LM08 ,  5F152LN03 ,  5F152LN16 ,  5F152LN18 ,  5F152LN19 ,  5F152LP08 ,  5F152MM02 ,  5F152MM10 ,  5F152MM18 ,  5F152NN13 ,  5F152NN21 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NP11 ,  5F152NP17 ,  5F152NP23 ,  5F152NP27 ,  5F152NQ09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体構造物およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-019656   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化ガリウム結晶基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-062546   出願人：日立電線株式会社
• 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-215342   出願人：ソニー株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• MBE法による低温CrxNバッファ層を用いたGaNの成長