特許
J-GLOBAL ID：200903044150878813
シリコン薄膜の膜厚測定方法並びにその方法によりシリコン薄膜の膜厚が測定される半導体素子及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-024925
公開番号（公開出願番号）：特開2002-228420
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2002年08月14日
要約：
【要約】【課題】 完成品とされた状態でも、シリコン薄膜の膜厚を非破壊で測定することのできるようにする。【解決手段】 シリコン薄膜1bを有してなる半導体素子10のそのシリコン薄膜1bの膜厚を測定するシリコン薄膜の膜厚測定方法であって、シリコン薄膜1bの表面へ向かって、0.9μm以上の波長を有した赤外線を照射し、シリコン薄膜1bの表面による反射光L2とシリコン薄膜1bの裏面による反射光L3との干渉結果に基づいて、シリコン薄膜1bの膜厚を測定するようにしている。
請求項（抜粋）：
シリコン薄膜を有してなる半導体素子のそのシリコン薄膜の膜厚を測定するシリコン薄膜の膜厚測定方法であって、シリコン薄膜の表面へ向かって、0.9μm以上の波長を有した赤外線を照射し、シリコン薄膜の表面による反射光とシリコン薄膜の裏面による反射光との干渉結果に基づいて、シリコン薄膜の膜厚を測定することを特徴とするシリコン薄膜の膜厚測定方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01B 11/06 G
, H01L 21/66 P
2F065AA30
, 2F065BB17
, 2F065CC02
, 2F065DD00
, 2F065FF52
, 2F065GG22
, 2F065HH04
, 2F065HH12
, 4M106AA01
, 4M106BA08
, 4M106CA48
, 4M106DH03
