特許

J-GLOBAL ID：200903044154090340

半導体レーザ装置

発明者： 福永 敏明
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-222170
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053382
出願日： 1999年08月05日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】 リッジ型の屈折率導波機構を有する半導体レーザ装置において、高い出力まで基本横モード発振を得、かつ信頼性を向上させる。【解決手段】 n型GaAs基板11上にn-In0.49(Alz3Ga1-z3)0.51P下部クラッド層12、nあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2光導波層13、Inx1Ga1-x1As1-y1Py1圧縮歪量子井戸活性層14、pあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2上部第一光導波層15、p-Inx6Ga1-x6Pエッチング阻止層16、p-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2上部第二光導波層17、p-In0.49(Alz3Ga1-z3)0.51P上部クラッド層18、p-GaAsコンタクト層、絶縁膜20を形成し、3μm程度のストライプで、これに連続する周辺部に平行な幅6μm程度のストライプの絶縁膜20を除去する。絶縁膜膜20をマスクとして、GaAsコンタクト層19を除去し、p-In0.49(Alz3Ga1-z3)0.51P上部クラッド層18除去する。p-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2上部第二光導波層17をp-Inx6Ga1-x6Pエッチング阻止層の上部まで除去して、リッジストライプを形成する。

請求項（抜粋）：

第一導電型GaAs基板上に、第一導電型下部クラッド層、組成比がx2=(0.49±0.01)y2および0≦x2≦0.3である第一導電型In<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>As<SB>1-y2</SB>P<SB>y2</SB>下部光導波層、組成比が0<x3≦0.4および0≦y3≦0.1であるIn<SB>x3</SB>Ga<SB>1-x3</SB>As<SB>1-y3</SB>P<SB>y3</SB>圧縮歪量子井戸活性層、組成比がx2=(0.49±0.01)y2および0≦x2≦0.3である第二導電型In<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>As<SB>1-y2</SB>P<SB>y2</SB>上部第一光導波層、組成比が0.2≦x6≦0.8である第二導電型In<SB>x6</SB>Ga<SB>1-x6</SB>Pエッチング阻止層、電流注入窓となるストライプ部に沿って該ストライプ部の両側が除去された、組成比がx2≒0.49y2および0≦x2≦0.3である第二導電型In<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>As<SB>1-y2</SB>P<SB>y2</SB>上部第二光導波層、第二導電型クラッド層および第二導電型コンタクト層がこの順に積層されてなるリッジ型の屈折率導波機構を備えており、前記圧縮歪量子井戸活性層の歪量と膜厚の積の絶対値が0.25nm以下であり、前記エッチング阻止層の歪量と膜厚の積の絶対値が0.25nm以下であり、前記圧縮歪量子井戸活性層および前記エッチング阻止層以外の全ての層が、前記第一導電型GaAs基板と格子整合する組成であることを特徴とする半導体レーザ装置。

Fターム (10件)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA02 ,  5F073BA09 ,  5F073CA13 ,  5F073EA28