特許

J-GLOBAL ID：200903044154877358

誘電体薄膜のエッチング方法及び半導体装置

発明者： 浦島 仁
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-358171
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183287
出願日： 1998年12月16日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 下部電極上に形成された誘電体薄膜のエッチングにおいて、エッチング面及びマスク側壁へ付着する残渣を効果的に除去することを課題とする。【解決手段】 下部電極上に形成された誘電体薄膜を不活性ガスを含むエッチングガスにより当初の膜厚の10〜50%残存するようにエッチングする第1エッチング工程、不活性ガスを含まないエッチングガスにより残存する誘電体薄膜をエッチングすると共に下部電極をオーバーエッチングする第2エッチング工程、剥離剤での洗浄工程からなることを特徴とする誘電体薄膜のエッチング方法により上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

下部電極上に形成された誘電体薄膜を不活性ガスを含むエッチングガスにより当初の膜厚の10〜50%残存するようにエッチングする第1エッチング工程、不活性ガスを含まないエッチングガスにより残存する誘電体薄膜をエッチングすると共に下部電極をオーバーエッチングする第2エッチング工程、剥離剤での洗浄工程からなることを特徴とする誘電体薄膜のエッチング方法。

IPC (9件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/302 F ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Fターム (40件)：

5F001AA17 ,  5F001AG10 ,  5F004AA09 ,  5F004BA14 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DB00 ,  5F004DB13 ,  5F004EA10 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EA29 ,  5F004EB08 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD21 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA14 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083PR03